Оперативная память QNAP RAM-4GDR4A0-UD-2400
970954
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память QNAP RAM-4GDR4ECP0-UD-2666
970942
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память QNAP RAM-8GDR4ECT0-UD-2666
1058661
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 128ГБ DDR5 4800 МГц M321RAGA0B20-CWK
1287065
128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
заказ 2-3 дня
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
949713
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
на складе
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
828059
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M321R2GA3BB6-CQK
1275280
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
1332677
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
821881
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В..
на складе
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M378A4G43AB2-CWE
883519
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWE
1333816
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA3BB6-CQK
1138160
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Новинка
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M321R4GA0PB0-CWM
1595239
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
на складе
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R4GA3BB0-CWM
1362104
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK
1274698
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
1287434
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWM
1332676
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
заказ 2-3 дня
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWMJJ
1503829
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 6400 МГц M321R8GA0PB2-CCP
1504229
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
1344319
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
1113011
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
1295872
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Synology 16GB DDR4 PC4-21300 D4EC-2666-16G
818985
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Оперативная память Synology 16GB DDR4 PC4-21300 D4RD-2666-16G
811153
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
заказ 4-5 дней
0.00 руб.
Показано с 817 по 840 из 898 (всего 38 страниц)
